Erhitzen eines Silikon Wafers mit flexiblen Heizfolien.

Beschreibung

 

Ein 300mm Silikon Wafer sitzt auf einem Aluminium Chuck (Durchmesser = 325 mm) und muss während des Vakuum-Prozesses von +40°C auf +220°C aufgeheizt werden.

 

Eingangsspannung

 

208 VAC.

Leistungsbedarf

 

Benötigt werden mindestens 800 W Aufwärmleistung.

 

Elektrische Parameter

 

R = U2 / W => 2082 / 800 = 54,1 Ω

 

Heizer-Auswahl

 

Die erforderliche Temperatur übersteigt das Limit von Kapton. Der Vakuum-Prozess schließt Silikon als Material aus. Aus diesem Grund ist ein im Werk auf den Chuck montierter All-Polyimid (AP) Heizer die einzige Möglichkeit.

 

Aktuelle Leistung & 

Leistungsdichte

 

Die aktuelle Leistung wird wie folgt ermittelt: 2082 / 54,1 = 800 W.

 

Die Leistungsdichte = W / effektive Fläche => 800 / 709 = 1,12 W/cm2

 

Montage

 

Im Werk auflaminierte AP-Heizer ermöglichen einen optimalen Wärmetransfer. Diese Art der Montage erlaubt höhere Betriebstemperaturen als dies mit Klebern realisierbar wäre.

 

Anschluss-Strom

 

AWG* 20 erlaubt 13,5A. Der aktuelle Strom liegt bei I = 208/54,1 = 3,8A und damit im grünen Bereich.

 

*AWG steht für American Wire Gauge und ist die Bezeichnung für den Leiterdurchmesser. Je größer die Nummer, desto kleiner der Leiterdurchmesser.

 

Regelung

 

Alle elektrischen und Bewegungsregelungen von Wafer Prozess Systemen sind zentral Computer gesteuert. Eine thermische Regelung wurde in das System integriert.

 

Sensor

 

Ein S247 Platin Dünnfilmelement mit Hochtemperatur-Verlängerungslitzen wurde in ein Loch in der Platte einzementiert.

 

Kundenoptionen

 

Die Anschlüsse befinden sich im Zentrum des Heizers, um mit den Auslegungsanforderungen der Maschine übereinzustimmen.

 

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