Ein 300mm Silikon Wafer sitzt auf einem Aluminium Chuck (Durchmesser = 325 mm) und muss während des Vakuum-Prozesses von +40°C auf +220°C aufgeheizt werden.
208 VAC.
Benötigt werden mindestens 800 W Aufwärmleistung.
R = U2 / W => 2082 / 800 = 54,1 Ω
Die erforderliche Temperatur übersteigt das Limit von Kapton. Der Vakuum-Prozess schließt Silikon als Material aus. Aus diesem Grund ist ein im Werk auf den Chuck montierter All-Polyimid (AP) Heizer die einzige Möglichkeit.
Die aktuelle Leistung wird wie folgt ermittelt: 2082 / 54,1 = 800 W.
Die Leistungsdichte = W / effektive Fläche => 800 / 709 = 1,12 W/cm2
Im Werk auflaminierte AP-Heizer ermöglichen einen optimalen Wärmetransfer. Diese Art der Montage erlaubt höhere Betriebstemperaturen als dies mit Klebern realisierbar wäre.
AWG* 20 erlaubt 13,5A. Der aktuelle Strom liegt bei I = 208/54,1 = 3,8A und damit im grünen Bereich.
*AWG steht für American Wire Gauge und ist die Bezeichnung für den Leiterdurchmesser. Je größer die Nummer, desto kleiner der Leiterdurchmesser.
Alle elektrischen und Bewegungsregelungen von Wafer Prozess Systemen sind zentral Computer gesteuert. Eine thermische Regelung wurde in das System integriert.
Ein S247 Platin Dünnfilmelement mit Hochtemperatur-Verlängerungslitzen wurde in ein Loch in der Platte einzementiert.
Die Anschlüsse befinden sich im Zentrum des Heizers, um mit den Auslegungsanforderungen der Maschine übereinzustimmen.
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